届时我司将携MSTECH 经典型探针台（4000A）参展本次学术会议，

欢迎各新老客户莅临指导.

会议时间：2021年11月7日-9日

会议地点：福建·厦门·海悦山庄酒店

展位号：10号

会议简介：

近年来，宽禁带半导体已成为全球高技术竞争战略制高点之一，国际半导体及材料领域研究和发展的热点，基于宽禁带半导体材料，半导体照明已经形成巨大规模的产业，并在电子功率器件领域继续深入发展。为推动我国宽禁带半导体领域的发展，加强各界交流与协同创新，2015年10月，中国电子学会电子材料学分会发起并主办了首届全国宽禁带半导体学术会议，会议由中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所承办。自第二届开始，会议更新为由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会、中国电子学会电子材料学分会两家单位共同主办。广东省半导体产业技术研究院、第三代半导体产业技术创新战略联盟共同承办了第二届大会。

随着大会规模和影响力的不断增强，今年，“全国宽禁带半导体学术会议”迎来了第四届，定于2021年10月12-15日在美丽的鹭岛厦门举办，由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会、中国电子学会电子材料学分会共同主办，厦门大学和第三代半导体产业技术创新战略联盟联合承办。

届时，来自国内宽禁带半导体领域学术界、产业界的专家学者、科研技术人员、院校师生、企业家代表等，将围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件研发以及相关设备研发等领域开展广泛交流，促进产学研用的交流合作。深信这次会议必将对我国宽禁带半导体材料与器件的学术研究、技术进步、产业发展起到有力的推动作用.

主题内容：

- 宽禁带半导体材料生长机理和生长动力学

- 宽禁带半导体外延结构与物性表征

- 宽禁带半导体光电子器件

- 宽禁带半导体电子器件

- 新型宽禁带半导体材料与器件

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分会主题：

- 材料生长（氮化物半导体、氧化物半导体、碳化硅、金刚石等）

- 材料物性和表征技术（光、电、磁、热性质、缺陷物理等）

- 光电子器件及其应用（LED、LD、光电探测器等）

- 电子器件及其应用（射频电子器件、功率电子器件等）

- 新型宽禁带材料与器件（超宽禁带半导体、二维宽禁带半导体、有机宽禁带半导体等）

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